Справочник электронных компонентов

Транзистор BUZ308

BUZ308 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-218AA

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.6 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 40 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор BUZ308 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BUZ307	PTH	N	75	800	20	4	3	3	-	40	90	150	TO-218AA
BUZ83	PTH	N	78	800	20	4	2.9	4	-	40	90	150	TO-204AA
BUZ83A	PTH	N	78	800	20	4	3.4	3	-	40	90	150	TO-204AA
FS3UM-16A	PTH	N	100	800	30	4	3	3.3	-	15	77	150	TO-220
PJD4NA90	SMD	N	90	900	30	4	4	3.4	-	27	82	150	TO-252AA
PJD5NA80	SMD	N	140	800	30	4	5	2.7	-	28	78	150	TO-252AA
PJP4NA90	PTH	N	140	900	30	4	4	3.4	-	27	82	150	TO-220AB
PJP5NA80	PTH	N	146	800	30	4	5	2.7	-	28	78	150	TO-220AB
PJU4NA90	PTH	N	90	900	30	4	4	3.4	-	27	82	150	TO-251AA
PJU5NA80	PTH	N	140	800	30	4	5	2.7	-	28	78	150	TO-251AA
TMP4N80	PTH	N	123	800	30	4	4	3	21	25	77	150	TO-220
TMP4N90	PTH	N	123	900	30	4	4	4	25	38	80	150	TO-220
TSM4N80CZ	PTH	N	123	800	30	4	4	3	20	38	80	150	TO-220
TSM4N90CZ	PTH	N	123	900	30	4	4	4	25	38	80	150	TO-220