Справочник электронных компонентов

Транзистор BUZ907D

BUZ907D - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор BUZ907D можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
BUZ907DP PTH P 250 220 14 - 16 0.75 - - - 150 TO-3PBL
BUZ908D PTH P 250 250 14 - 16 0.75 - - - 150 TO-3
BUZ908DP PTH P 250 250 14 - 16 0.75 - - - 150 TO-3PBL
IXTH16P60P PTH P 460 600 20 4.5 16 0.72 92 440 - 150 TO-247
IXTH20P50P PTH P 460 500 20 4 20 0.45 103 406 - 150 TO-247
IXTK32P60P PTH P 890 600 20 4 32 0.35 196 480 - 150 TO-264
IXTK40P50P PTH P 890 500 20 4 40 0.23 205 477 - 150 TO-264
IXTN32P60P Модуль P 890 600 20 4 32 0.35 196 480 - 150 ISOTOP
IXTN40P50P Модуль P 890 500 20 4 40 0.23 205 477 - 150 ISOTOP
IXTR32P60P PTH P 310 600 20 4 18 0.385 196 480 - 150 ISOPLUS247
IXTR40P50P PTH P 312 500 20 4 22 0.26 205 477 - 150 ISOPLUS247
IXTT16P60P SMD P 460 600 20 4.5 16 0.72 92 440 - 150 TO-268
IXTT20P50P SMD P 460 500 20 4 20 0.45 103 406 - 150 TO-268
IXTX32P60P PTH P 890 600 20 4 32 0.35 196 480 - 150 PLUS247
IXTX40P50P PTH P 890 500 20 4 40 0.23 205 477 - 150 PLUS247