Транзистор CEB08N8
CEB08N8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 208 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.55 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 39 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 73 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 150 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CEB08N8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEP08N8 |
PTH |
N |
208 |
800 |
30 |
- |
8 |
1.55 |
39 |
73 |
150 |
150 |
TO-220 |
| PJZ9NA90 |
PTH |
N |
240 |
900 |
30 |
4 |
9 |
1.4 |
31 |
31 |
143 |
150 |
TO-3PL |