Транзистор CEB10N65
CEB10N65 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.85 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 33 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 73 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 185 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор CEB10N65 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEP10N65 |
PTH |
N |
200 |
650 |
30 |
- |
10 |
0.85 |
33 |
73 |
185 |
175 |
TO-220 |