Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4 Транзистор CEB12P10 полевой MOSFET, его характеристикиСправочник электронных компонентов
Транзистор CEB12P10
CEB12P10 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263
Основные характеристики:
Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.315 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 140 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц