Транзистор CEB140N10
CEB140N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 208 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 137 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0075 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 227 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 605 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CEB140N10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEP140N10 |
PTH |
N |
208 |
100 |
20 |
- |
137 |
0.0075 |
227 |
20 |
605 |
150 |
TO-220 |
| SSF1006A |
SMD |
N |
326 |
100 |
20 |
- |
200 |
0.0055 |
108 |
15.6 |
350 |
175 |
D2PAK |