Транзистор CEB20A03
CEB20A03 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 139 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 197 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.002 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 96 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 32 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1055 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CEB20A03 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEP20A03 |
PTH |
N |
139 |
30 |
20 |
- |
197 |
0.002 |
96 |
32 |
1055 |
150 |
TO-220 |
| MTB1D7N03E3 |
PTH |
N |
214 |
30 |
20 |
- |
203 |
0.002 |
41 |
21 |
935 |
175 |
TO-220 |