Транзистор CEB30N3
CEB30N3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 227 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.11 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 390 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CEB30N3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEP30N3 |
PTH |
N |
227 |
300 |
30 |
4 |
30 |
0.11 |
- |
23 |
390 |
150 |
TO-220 |
| FCB36N60NTM |
SMD |
N |
312 |
600 |
30 |
4 |
36 |
0.09 |
112 |
22 |
149 |
150 |
D2PAK |
| SIHG47N60E |
PTH |
N |
357 |
600 |
30 |
4 |
47 |
0.064 |
148 |
11 |
230 |
150 |
TO-247AC |