Транзистор CEB50N10
CEB50N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 136 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 49 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 19 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 300 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор CEB50N10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB412L |
SMD |
N |
150 |
100 |
25 |
3.8 |
60 |
0.0155 |
45 |
16 |
260 |
175 |
TO-263 |
| AOT412 |
PTH |
N |
150 |
100 |
25 |
3.8 |
60 |
0.0158 |
45 |
16 |
260 |
175 |
TO-220 |
| SM1A01NFS |
PTH |
N |
136 |
100 |
25 |
4 |
53 |
0.022 |
37 |
13 |
270 |
175 |
TO-220 |
| SM1A01NSF |
PTH |
N |
136 |
100 |
25 |
4 |
53 |
0.022 |
37 |
13 |
270 |
175 |
TO-220 |