Транзистор CEB6060L

CEB6060L - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 120 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 52.4 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.021 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 45 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 4.5 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 300 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор CEB6060L можно заменить на:

Нет элементов для замены