Справочник электронных компонентов

Транзистор CEB60N06G

CEB60N06G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор CEB60N06G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AM90N06-15P PTH N 300 60 20 1 90 0.0105 49 10 290 175 TO-220AB
AOB412L SMD N 150 100 25 3.8 60 0.0155 45 16 260 175 TO-263
AOT412 PTH N 150 100 25 3.8 60 0.0158 45 16 260 175 TO-220
BUK7Y14-80E SMD N 147 80 20 4 65 0.014 44.8 13.2 240 175 LFPAK56
BUK7Y8R7-60E SMD N 147 60 20 4 87 0.0087 46 16 310 175 LFPAK56
CEB75N06G SMD N 150 60 20 - 75 0.013 52 17 495 175 TO-263
CSD18532KCS PTH N 250 60 20 2.2 100 0.0042 21 5.3 470 175 TO-220
CSD18533KCS PTH N 192 60 20 2.3 100 0.0063 14 4.8 300 175 TO-220
CSD19533KCS PTH N 188 100 20 3.4 86 0.0105 27 5 395 175 TO-220
MTE010N10E3 PTH N 150 100 20 - 70 0.0096 48 12 250 175 TO-220AB
SSF6010 PTH N 144 60 20 - 75 0.01 45 14.2 190 175 TO-220
SSF6010A SMD N 144 60 20 - 75 0.01 45 14.2 190 175 D2PAK