Транзистор CEB73A3G
CEB73A3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 62 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 265 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор CEB73A3G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK758R3-40E |
PTH |
N |
96 |
40 |
20 |
4 |
75 |
0.0074 |
24 |
9 |
260 |
175 |
TO-220AB |
| BUK768R1-40E |
SMD |
N |
96 |
40 |
20 |
4 |
75 |
0.0072 |
24 |
9 |
260 |
175 |
D2PAK |
| BUK7E8R3-40E |
PTH |
N |
96 |
40 |
20 |
4 |
75 |
0.0058 |
24 |
9 |
260 |
175 |
I2PAK |
| CEP73A3G |
PTH |
N |
75 |
30 |
20 |
- |
62 |
0.009 |
- |
9 |
265 |
175 |
TO-220 |