Транзистор CEB80N15
CEB80N15 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 76 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.019 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 262 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 24 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 455 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор CEB80N15 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SQM85N15-19 |
SMD |
N |
375 |
150 |
20 |
3.5 |
85 |
0.019 |
80 |
24 |
450 |
175 |
TO-263 |
| SUP90N15-18P |
PTH |
N |
375 |
150 |
20 |
4.5 |
90 |
0.018 |
64 |
10 |
235 |
175 |
TO-220AB |