Транзистор CEB830G
CEB830G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CEB830G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK3517-01 |
PTH |
N |
90 |
500 |
30 |
- |
6 |
1.5 |
- |
5 |
60 |
150 |
TO-220AB |
| AOT11S60L |
PTH |
N |
178 |
600 |
30 |
4.1 |
11 |
0.399 |
- |
2 |
37.3 |
150 |
TO-220 |
| SSF11NS65U |
PTH |
N |
83 |
650 |
30 |
- |
11 |
0.38 |
- |
6 |
34 |
150 |
TO-220 |
| SSF7NS65G |
PTH |
N |
83 |
650 |
30 |
- |
7 |
0.65 |
- |
5.8 |
26.5 |
150 |
TO-251 |
| STD5NM50T4 |
SMD |
N |
100 |
500 |
30 |
5 |
7.5 |
0.8 |
13 |
8 |
88 |
150 |
DPAK |
| STP10N105K5 |
PTH |
N |
130 |
1050 |
30 |
5 |
6 |
1.3 |
21.5 |
8 |
30 |
150 |
TO-220 |
| STW10N105K5 |
PTH |
N |
130 |
1050 |
30 |
5 |
6 |
1.3 |
21.5 |
8 |
30 |
150 |
TO-247 |