Транзистор CEB9060N
CEB9060N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 166 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 90 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0105 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 68.1 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11.9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 765 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор CEB9060N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM90N06-15P |
PTH |
N |
300 |
60 |
20 |
1 |
90 |
0.0105 |
49 |
10 |
290 |
175 |
TO-220AB |
| CSD18532KCS |
PTH |
N |
250 |
60 |
20 |
2.2 |
100 |
0.0042 |
21 |
5.3 |
470 |
175 |
TO-220 |
| CSD18533KCS |
PTH |
N |
192 |
60 |
20 |
2.3 |
100 |
0.0063 |
14 |
4.8 |
300 |
175 |
TO-220 |
| CSD18542KCS |
PTH |
N |
200 |
60 |
20 |
2.2 |
170 |
0.004 |
21 |
5 |
570 |
175 |
TO-220 |
| CSD19503KCS |
PTH |
N |
188 |
80 |
20 |
3.4 |
94 |
0.0092 |
28 |
3 |
555 |
175 |
TO-220 |
| CSD19531KCS |
PTH |
N |
214 |
100 |
20 |
3.3 |
100 |
0.0077 |
38 |
7.2 |
560 |
175 |
TO-220 |
| CSD19532KTT |
SMD |
N |
250 |
100 |
20 |
3.2 |
136 |
0.0056 |
44 |
3 |
674 |
175 |
D2PAK |