Справочник электронных компонентов

Транзистор CED05N8

CED05N8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-251

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.4 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.9 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 71 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 105 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CED05N8 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
CEB05N8	SMD	N	139	800	30	4	4.4	2.9	-	71	105	150	TO-263
CEP05N8	PTH	N	139	800	30	4	4.4	2.9	-	71	105	150	TO-220
CS6N80A8	PTH	N	110	800	30	4	6	2.2	35	18	100	150	TO-220AB
CS6N80ARH	PTH	N	110	800	30	4	6	2.2	35	18	100	150	TO-262
PJD5NA80	SMD	N	140	800	30	4	5	2.7	-	28	78	150	TO-252AA
PJP5NA80	PTH	N	146	800	30	4	5	2.7	-	28	78	150	TO-220AB
PJP6NA90	PTH	N	167	900	30	4	6	2.3	-	28	101	150	TO-220AB
PJU5NA80	PTH	N	140	800	30	4	5	2.7	-	28	78	150	TO-251AA
PJZ6NA90	PTH	N	192	900	30	4	6	2.3	23.6	28	101	150	TO-3PL