Транзистор CED11P20
CED11P20 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 78 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.36 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 74 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 240 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CED11P20 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEB14P20 |
SMD |
P |
139 |
200 |
30 |
- |
13.5 |
0.36 |
- |
74 |
240 |
150 |
TO-263 |
| CEP14P20 |
PTH |
P |
139 |
200 |
30 |
- |
13.5 |
0.36 |
- |
74 |
240 |
150 |
TO-220 |
| CEU11P20 |
SMD |
P |
78 |
200 |
30 |
- |
10.5 |
0.36 |
- |
74 |
240 |
150 |
TO-252 |