Транзистор CED12N10L
CED12N10L - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 43 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.175 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор CED12N10L можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD2544 |
SMD |
N |
75 |
150 |
20 |
2.7 |
23 |
0.054 |
- |
3 |
78 |
175 |
TO-252 |
| AOD478 |
SMD |
N |
45 |
100 |
20 |
2.8 |
11 |
0.14 |
- |
3 |
29 |
175 |
TO-252 |
| AOD498 |
SMD |
N |
45 |
100 |
20 |
2.3 |
11 |
0.14 |
- |
3 |
31.5 |
175 |
TO-252 |
| AOI478 |
PTH |
N |
45 |
100 |
20 |
2.8 |
11 |
0.14 |
- |
3 |
29 |
175 |
TO-251A |
| CEB13N10L |
SMD |
N |
65 |
100 |
20 |
- |
12.8 |
0.175 |
- |
4 |
90 |
175 |
TO-263 |
| CEP13N10L |
PTH |
N |
65 |
100 |
20 |
- |
12.8 |
0.175 |
- |
4 |
90 |
175 |
TO-220 |
| CEU12N10L |
SMD |
N |
43 |
100 |
20 |
- |
11 |
0.175 |
- |
4 |
90 |
175 |
TO-252 |