Транзистор CED12P10
CED12P10 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.315 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 115 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CED12P10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEU12P10 |
SMD |
P |
50 |
100 |
30 |
- |
9 |
0.315 |
- |
7 |
115 |
150 |
TO-252 |
| SM1A27PSU |
SMD |
P |
50 |
100 |
30 |
- |
11 |
0.205 |
- |
4 |
60 |
150 |
TO-252 |
| SM1A27PSUB |
PTH |
P |
50 |
100 |
30 |
- |
11 |
0.19 |
- |
4 |
60 |
150 |
TO-251 |