Транзистор CED655
CED655 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 43 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.45 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 85 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор CED655 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEU655 |
SMD |
N |
43 |
150 |
20 |
- |
6.4 |
0.45 |
- |
3 |
85 |
175 |
TO-252 |