Транзистор CED83A3G
CED83A3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 93 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0042 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 37 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 26 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 510 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор CED83A3G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEB83A3G |
SMD |
N |
83 |
30 |
20 |
- |
102 |
0.0042 |
37 |
26 |
510 |
175 |
TO-263 |
| CSD18532KCS |
PTH |
N |
250 |
60 |
20 |
2.2 |
100 |
0.0042 |
21 |
5.3 |
470 |
175 |
TO-220 |