Транзистор CEDM8001
CEDM8001 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-883L
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 15 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CEDM8001 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEDM8001VL |
SMD |
P |
0.1 |
20 |
10 |
1.1 |
0.1 |
8 |
- |
- |
15 |
150 |
SOT-883VL |
| CMNDM8001 |
SMD |
P |
0.25 |
20 |
10 |
1.1 |
0.1 |
8 |
0.658 |
- |
15 |
150 |
SOT-953 |
| CMUDM8001 |
SMD |
P |
0.25 |
20 |
10 |
1.1 |
0.1 |
8 |
0.658 |
- |
15 |
150 |
SOT-523 |