Справочник электронных компонентов

Транзистор CEP840G

CEP840G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор CEP840G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
2SK3519-01 PTH N 135 500 30 - 9 0.85 - 9 100 150 TO-220AB
2SK3521-01L PTH N 135 500 30 - 9 0.85 - 9 100 150 TO-262
2SK3521-01S SMD N 135 500 30 - 9 0.85 - 9 100 150 TO-263
2SK3521-01SJ SMD N 135 500 30 - 9 0.85 - 9 100 150 TO-263
2SK3931-01 PTH N 165 500 30 - 11 0.57 - 6 130 150 TO-220AB
2SK3933-01L PTH N 165 500 30 - 11 0.7 - 6 130 150 TO-262
2SK3933-01S SMD N 165 500 30 - 11 0.7 - 6 130 150 TO-263
2SK3933-01SJ SMD N 165 500 30 - 11 0.7 - 6 130 150 TO-263
AOT11S60L PTH N 178 600 30 4.1 11 0.399 - 2 37.3 150 TO-220
CEB840A SMD N 150 500 30 - 8.5 0.85 25 5 125 175 TO-263
CEB840G SMD N 125 500 30 - 8 0.85 33 9 145 150 TO-263
CEP840A PTH N 150 500 30 - 8.5 0.85 - 5 125 175 TO-220
FMC10N60E SMD N 165 600 30 3.5 10 0.79 47 9 140 150 T-PACKS
FMI10N60E PTH N 165 600 30 3.5 10 0.79 47 9 140 150 T-PACKL
FMP10N60E PTH N 165 600 30 3.5 10 0.79 47 9 140 150 TO-220AB
STW22N95K5 PTH N 250 950 30 5 17.5 0.33 48 9 140 150 TO-247