Транзистор CET04N10
CET04N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 85 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CET04N10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4486 |
SMD |
N |
3.1 |
100 |
20 |
2.7 |
4.2 |
0.079 |
- |
2.5 |
55 |
150 |
SO-8 |
| AOD2922 |
SMD |
N |
17 |
100 |
20 |
2.7 |
7 |
0.14 |
- |
3 |
19 |
175 |
TO-252 |
| AOD4286 |
SMD |
N |
30 |
100 |
20 |
2.9 |
14 |
0.068 |
- |
2.5 |
30 |
175 |
TO-252 |
| AOI4286 |
PTH |
N |
30 |
100 |
20 |
2.9 |
14 |
0.068 |
- |
2.5 |
30 |
175 |
TO-251A |
| AON6484 |
SMD |
N |
25 |
100 |
20 |
2.7 |
12 |
0.079 |
- |
2.5 |
55 |
150 |
DFN5X6 |
| AON7296 |
SMD |
N |
20.8 |
100 |
20 |
2.8 |
12.5 |
0.066 |
- |
2 |
32 |
150 |
DFN3X3 |