Транзистор CEU03N8
CEU03N8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4.8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 34 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 70 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор CEU03N8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEB03N8 |
SMD |
N |
125 |
800 |
30 |
- |
3 |
4.8 |
- |
34 |
70 |
175 |
TO-263 |
| CED03N8 |
PTH |
N |
75 |
800 |
30 |
- |
2.5 |
4.8 |
- |
34 |
70 |
175 |
TO-251 |
| CEP03N8 |
PTH |
N |
125 |
800 |
30 |
- |
3 |
4.8 |
- |
34 |
70 |
175 |
TO-220 |