Транзистор CEU55N10
CEU55N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 55 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.016 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 240 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор CEU55N10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB296L |
SMD |
N |
107 |
100 |
20 |
3.4 |
70 |
0.0097 |
- |
8.5 |
238 |
175 |
TO-263 |
| AOT296L |
PTH |
N |
107 |
100 |
20 |
3.4 |
70 |
0.01 |
- |
8.5 |
238 |
175 |
TO-220 |
| CEB75N10 |
SMD |
N |
100 |
100 |
20 |
- |
72 |
0.013 |
- |
9 |
240 |
175 |
TO-263 |
| CED55N10 |
PTH |
N |
83.3 |
100 |
20 |
- |
55 |
0.016 |
84 |
9 |
240 |
175 |
TO-251 |
| CEP75N10 |
PTH |
N |
100 |
100 |
20 |
- |
72 |
0.013 |
- |
9 |
240 |
175 |
TO-220 |