Транзистор CEU6060N
CEU6060N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 62.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 34 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 310 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор CEU6060N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CEB6060N |
SMD |
N |
88 |
60 |
20 |
- |
42 |
0.025 |
28.7 |
3 |
310 |
175 |
TO-263 |
| CED6060N |
PTH |
N |
62.5 |
60 |
20 |
- |
34 |
0.025 |
28.7 |
3 |
310 |
175 |
TO-251 |
| CEP6060N |
PTH |
N |
88 |
60 |
20 |
- |
42 |
0.025 |
- |
3 |
310 |
175 |
TO-220 |
| CSD19534KCS |
PTH |
N |
118 |
100 |
20 |
3.4 |
54 |
0.0165 |
17.1 |
2 |
257 |
175 |
TO-220 |