Транзистор CHM02N6GPAGP
CHM02N6GPAGP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 48 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 5.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 6.7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHM02N6GPAGP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MCP04N65 |
PTH |
N |
50 |
650 |
30 |
4 |
4 |
3 |
5 |
10 |
180 |
150 |
TO-220 |
| MCU04N60 |
SMD |
N |
50 |
600 |
30 |
4 |
4 |
3 |
5 |
7 |
125 |
150 |
TO-252 |
| MCU04N65 |
SMD |
N |
50 |
650 |
30 |
4 |
4 |
3 |
5 |
10 |
180 |
150 |
TO-252 |