Транзистор CHM02N7NGP
CHM02N7NGP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 6.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 14 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 26 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHM02N7NGP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TK2P90E |
SMD |
N |
80 |
900 |
30 |
4 |
2 |
5.9 |
12 |
25 |
40 |
150 |
DPAK |
| TK3P80E |
SMD |
N |
80 |
800 |
30 |
4 |
3 |
4.9 |
12 |
25 |
40 |
150 |
DPAK |