Справочник электронных компонентов

Транзистор CHM1825NGP

CHM1825NGP - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 90 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 18 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 57 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 215 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 153 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CHM1825NGP можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
SIHB20N50E	SMD	N	179	500	30	4	19	0.184	46	27	87	150	TO-263
SIHB22N60E	SMD	N	227	600	20	4	21	0.18	57	68	90	150	TO-263
SIHG20N50E	PTH	N	179	500	30	4	19	0.184	46	27	87	150	TO-247AC
SIHG22N60E	PTH	N	227	600	30	4	21	0.18	57	27	90	150	TO-247AC
SIHG25N50E	PTH	N	250	500	30	4	26	0.145	57	36	105	150	TO-247AC
SIHH21N60E	SMD	N	104	600	30	4	20	0.176	55	32	93	150	PowerPAK8X8
SIHP20N50E	PTH	N	179	500	30	4	19	0.184	46	27	87	150	TO-220AB
SIHP22N60E	PTH	N	227	600	20	4	21	0.18	57	68	90	150	TO-220AB
SIHP25N50E	PTH	N	250	500	30	4	26	0.145	57	36	105	150	TO-220AB