Справочник электронных компонентов

Транзистор CHM2313GP

CHM2313GP - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-346

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.6 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 17 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 6 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CHM2313GP можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
CHM2313QGP	SMD	P	2	30	20	3	4.6	0.06	17	6	-	150	SOT-457
CHM2323GP	SMD	P	1.25	30	20	3	4.1	0.048	13.8	4	155	150	SOT-346
CHM9535JGP	SMD	P	2.5	30	20	3	5	0.06	9.5	3	91	150	SO-8
KO3407	SMD	P	1.4	30	20	3	4.1	0.052	14.3	5	120	150	SOT-23
MMP9435	SMD	P	2.5	30	20	3	5.3	0.06	9	2.8	66	150	SOP-8
MMP9567	SMD	P	2.5	40	25	3	6	0.05	7.49	3.56	104.6	150	SO-8
PPMT32V4	SMD	P	1.5	30	20	3	4.3	0.06	14	5	120	150	SOT-23
SSM9567GM	SMD	P	2.5	40	25	3	6	0.05	11	5	135	150	SO-8
TSM3457CX6	SMD	P	2	30	20	3	5	0.06	9.52	2.33	90.96	150	SOT-26
TSM9435CS	SMD	P	2.5	30	20	3	5.3	0.06	9.52	2.33	90.96	150	SOP-8