Транзистор CHM2316GP
CHM2316GP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-346
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.034 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12.3 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHM2316GP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CHM2316QGP |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
3 |
6 |
0.034 |
12.3 |
3 |
- |
150 |
SOT-457 |
| CHM3252JGP |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
7.5 |
0.028 |
12.3 |
3 |
- |
150 |
SO-8 |
| CHM3258JGP |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
3 |
7 |
0.028 |
12.3 |
3 |
145 |
150 |
SO-8 |
| IRF7807VD1PBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
8.3 |
0.025 |
9.5 |
1.2 |
- |
150 |
SO-8 |
| IRF7807VD1PBF-1 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
8.3 |
0.025 |
9.5 |
1.2 |
- |
150 |
SO-8 |
| IRF7807VPBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
8.3 |
0.025 |
9.5 |
1.2 |
- |
150 |
SO-8 |
| IRF7807VPBF-1 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
8.3 |
0.025 |
9.5 |
1.2 |
- |
150 |
SO-8 |
| SK860319L |
SMD |
N |
2.7 |
30 |
20 |
3 |
12 |
0.01 |
6.3 |
3 |
160 |
150 |
HSO8-F4-B |