Транзистор CHM30N15LNGP

CHM30N15LNGP - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 56 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 28 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.07 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 88 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 250 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор CHM30N15LNGP можно заменить на:

Нет элементов для замены