Транзистор CHM4808JGP
CHM4808JGP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.015 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 14 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHM4808JGP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CHM4892JGP |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.5 |
12 |
0.012 |
14 |
10 |
- |
150 |
SO-8 |
| QM4004S |
SMD |
N |
3.47 |
40 |
20 |
2.5 |
13 |
0.012 |
10.7 |
3.4 |
120 |
150 |
SOP-8 |
| RF4E110GN |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2.5 |
11 |
0.0113 |
7.4 |
5.5 |
152 |
150 |
DFN2020-8S |
| RQ3E100GN |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2.5 |
10 |
0.0117 |
7.9 |
4.3 |
120 |
150 |
HSMT8 |
| RQ3E120GN |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2.5 |
12 |
0.0088 |
10 |
4.5 |
160 |
150 |
HSMT8 |
| RQ3G100GN |
SMD |
N |
2 |
40 |
20 |
2.5 |
10 |
0.0143 |
8.4 |
4.2 |
100 |
150 |
HSMT8 |
| RS1E130GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
13 |
0.0117 |
7.9 |
4.3 |
120 |
150 |
HSOP8 |
| RS1E150GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
15 |
0.0088 |
10 |
4.5 |
160 |
150 |
HSOP8 |
| RS1E170GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
17 |
0.0067 |
12 |
4.8 |
240 |
150 |
HSOP8 |
| STL51N3LLH5 |
SMD |
N |
4 |
30 |
22 |
2.5 |
12.6 |
0.0145 |
5 |
4.2 |
132 |
150 |
PowerFLAT5X6 |
| TSM35N03PQ56 |
SMD |
N |
4.2 |
30 |
25 |
2.5 |
22 |
0.007 |
8.2 |
9 |
210 |
150 |
PDFN5X6 |