Транзистор CHM50N06PAGP
CHM50N06PAGP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 68 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 36 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.023 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 31 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHM50N06PAGP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK7514-60E |
PTH |
N |
96 |
60 |
20 |
4 |
58 |
0.013 |
22.9 |
9.2 |
197 |
175 |
TO-220AB |
| BUK7613-60E |
SMD |
N |
96 |
60 |
20 |
4 |
58 |
0.013 |
22.9 |
9.2 |
197 |
175 |
D2PAK |
| BUK7E13-60E |
PTH |
N |
96 |
60 |
20 |
4 |
58 |
0.013 |
22.9 |
9.2 |
197 |
175 |
I2PAK |
| BUK7Y15-60E |
SMD |
N |
94 |
60 |
20 |
4 |
53 |
0.015 |
25.4 |
9.9 |
189 |
175 |
LFPAK56 |
| CHM50N06NGP |
SMD |
N |
131 |
60 |
20 |
4 |
50 |
0.022 |
28.2 |
5 |
400 |
150 |
D2PAK |
| PSMN011-60MS |
SMD |
N |
91 |
60 |
20 |
4 |
61 |
0.0113 |
23 |
8.46 |
191 |
175 |
LFPAK33 |
| TK22E10N1 |
PTH |
N |
72 |
100 |
20 |
4 |
52 |
0.0138 |
28 |
11 |
310 |
150 |
TO-220 |
| TK35E08N1 |
PTH |
N |
72 |
80 |
20 |
4 |
55 |
0.0122 |
25 |
11 |
440 |
150 |
TO-220 |