Транзистор CHM540APAGP
CHM540APAGP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 68 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.046 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 37.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHM540APAGP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK7Y38-100E |
SMD |
N |
95 |
100 |
20 |
4 |
30 |
0.038 |
30.9 |
9.9 |
145 |
175 |
LFPAK56 |
| PSMN034-100BS |
SMD |
N |
86 |
100 |
20 |
4 |
32 |
0.0345 |
23.8 |
10 |
94 |
175 |
D2PAK |
| TK22E10N1 |
PTH |
N |
72 |
100 |
20 |
4 |
52 |
0.0138 |
28 |
11 |
310 |
150 |
TO-220 |
| TK33S10N1Z |
SMD |
N |
125 |
100 |
20 |
4 |
33 |
0.0097 |
28 |
8.4 |
1070 |
175 |
DPAK |