Транзистор CHM5813ESQ2GP
CHM5813ESQ2GP - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN3X2
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 35 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 624 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHM5813ESQ2GP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM4403 |
SMD |
P |
3.1 |
20 |
12 |
1 |
12.2 |
0.014 |
22 |
14 |
388 |
150 |
SOP-8 |
| AM4825P |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
1 |
11.5 |
0.013 |
25 |
13 |
600 |
150 |
SOIC-8 |
| AM4825PE |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
1 |
11.5 |
0.013 |
25 |
13 |
600 |
150 |
SOIC-8 |
| AM4835P |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
1 |
9.5 |
0.019 |
31 |
16 |
408 |
150 |
SO-8 |
| AM7321P |
SMD |
P |
3.5 |
20 |
8 |
1 |
13 |
0.014 |
25 |
13 |
600 |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM7331PE |
SMD |
P |
3.5 |
30 |
25 |
1 |
13.4 |
0.0144 |
25 |
8 |
269 |
150 |
DFN3X3-8L |