Транзистор CHM5P03PAGP
CHM5P03PAGP - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 42 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.07 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 22.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHM5P03PAGP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CHM05P03NGP |
SMD |
P |
47 |
30 |
20 |
3 |
18 |
0.07 |
8 |
11 |
- |
175 |
D2PAK |
| CHM3301PAGP |
SMD |
P |
42 |
30 |
20 |
3 |
28 |
0.032 |
19.6 |
9 |
265 |
150 |
TO-252 |
| CHM4531PAGP |
SMD |
P |
43 |
30 |
20 |
3 |
25 |
0.036 |
20 |
4 |
300 |
175 |
TO-252 |