Транзистор CHM63A3PAGP
CHM63A3PAGP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 57 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 55 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.011 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 33 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 18 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHM63A3PAGP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CHM73A3PAGP |
SMD |
N |
60 |
30 |
20 |
3 |
65 |
0.009 |
24 |
6.8 |
- |
150 |
TO-252 |
| QM3016AD |
SMD |
N |
62.5 |
30 |
20 |
3 |
100 |
0.004 |
23.4 |
9.6 |
380 |
175 |
TO-252 |
| SUD50N03-06P |
SMD |
N |
88 |
30 |
20 |
3 |
84 |
0.0065 |
21 |
12 |
565 |
175 |
TO-252 |
| SUD50N03-09P |
SMD |
N |
65.2 |
30 |
20 |
3 |
63 |
0.0095 |
11 |
15 |
410 |
175 |
TO-252 |