Транзистор CHM6503GP

CHM6503GP - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-346

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.6 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.05 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 10.8 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 110 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 115 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CHM6503GP можно заменить на:

Нет элементов для замены