Транзистор CHM6607JGP
CHM6607JGP - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.086 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 19 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 115 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHM6607JGP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CHM6601JGP |
SMD |
P |
2.5 |
60 |
20 |
3 |
4.3 |
0.086 |
18.8 |
6 |
110 |
150 |
SO-8 |