Транзистор CHM7101JGP
CHM7101JGP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.075 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 6.4 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHM7101JGP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CHM4282JGP |
SMD |
N |
2.5 |
40 |
20 |
3 |
6.6 |
0.036 |
6.4 |
2 |
105 |
150 |
SO-8 |
| SK830321KL |
SMD |
N |
13 |
30 |
20 |
3 |
7 |
0.024 |
3.9 |
3 |
69 |
150 |
HSSO8-F1-B |