Транзистор CHM740ANGP
CHM740ANGP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 400 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.65 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 52 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHM740ANGP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT4065BN |
PTH |
N |
180 |
400 |
30 |
4 |
11 |
0.65 |
36 |
16 |
193 |
150 |
TO-247 |
| CS12N60A8HD |
PTH |
N |
140 |
600 |
30 |
4 |
12 |
0.65 |
46 |
19 |
187 |
150 |
TO-220AB |
| KDB15N50 |
SMD |
N |
300 |
500 |
30 |
4 |
15 |
0.38 |
33 |
5.4 |
230 |
175 |
TO-263 |
| SFP740 |
PTH |
N |
134 |
400 |
30 |
4 |
10 |
0.55 |
45 |
20 |
150 |
150 |
TO-220 |
| SIHB12N65E |
SMD |
N |
156 |
650 |
30 |
4 |
12 |
0.38 |
35 |
19 |
65 |
150 |
TO-263 |
| SIHB15N50E |
SMD |
N |
156 |
500 |
30 |
4 |
14.5 |
0.28 |
33 |
24 |
51 |
150 |
TO-263 |
| SIHH14N60E |
SMD |
N |
147 |
600 |
30 |
4 |
16 |
0.255 |
41 |
21 |
74 |
150 |
PowerPAK8X8 |
| SIHP12N65E |
PTH |
N |
156 |
650 |
30 |
4 |
12 |
0.38 |
35 |
19 |
65 |
150 |
TO-220AB |
| SIHP15N50E |
PTH |
N |
156 |
500 |
30 |
4 |
14.5 |
0.28 |
33 |
24 |
51 |
150 |
TO-220AB |
| STP20NM60A |
PTH |
N |
192 |
600 |
30 |
4 |
20 |
0.29 |
45 |
16 |
350 |
150 |
TO-220 |