Транзистор CHM76139NGP
CHM76139NGP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.007 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 48 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHM76139NGP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SUD50N03-06P |
SMD |
N |
88 |
30 |
20 |
3 |
84 |
0.0065 |
21 |
12 |
565 |
175 |
TO-252 |
| SUM110N03-04P |
SMD |
N |
120 |
30 |
20 |
3 |
110 |
0.0042 |
40 |
12 |
860 |
175 |
TO-263 |
| SUM85N03-06P |
SMD |
N |
100 |
30 |
20 |
3 |
85 |
0.006 |
48 |
12 |
565 |
175 |
TO-263 |