CHT-SNMOS80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-39,TO-18
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 5 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.9 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.45 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 5.93 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 6.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 8.6 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 225 гр.Ц
Транзистор CHT-SNMOS80 можно заменить на:
Нет элементов для замены