Транзистор CHT100GP
CHT100GP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.17 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 5.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHT100GP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM2308 |
SMD |
N |
1.56 |
60 |
20 |
3 |
2.7 |
0.104 |
2.7 |
7.2 |
29 |
150 |
SOT-23 |
| MMN4338 |
SMD |
N |
1.13 |
30 |
20 |
3 |
4.9 |
0.042 |
4.02 |
2.83 |
33.7 |
150 |
SOP-8 |
| NVTR4503N |
SMD |
N |
0.73 |
30 |
20 |
3 |
2 |
0.11 |
3.6 |
5.8 |
52 |
150 |
SOT-23 |
| RSR025N05FRA |
SMD |
N |
0.54 |
45 |
20 |
3 |
2.5 |
0.1 |
3.6 |
11 |
90 |
150 |
TSMT3 |
| SSM2304AGN |
SMD |
N |
1.38 |
30 |
20 |
3 |
2.5 |
0.117 |
3 |
9 |
62 |
150 |
SOT-23 |
| SSM2316GN |
SMD |
N |
1.38 |
30 |
20 |
3 |
4.7 |
0.042 |
5 |
8 |
70 |
150 |
SOT-23 |