Справочник электронных компонентов

Транзистор CHT84GP

CHT84GP - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.3 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.13 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 10 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 25 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CHT84GP можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
KSS84	SMD	P	0.3	50	20	2	0.13	10	-	-	25	150	SOT-23
KVP4424Z	SMD	P	1	240	40	2	0.2	9	-	8	18	150	SOT-89
ZVP4105ASTOA	PTH	P	0.625	50	20	2	0.175	10	-	10	15	150	TO-92
ZVP4105ASTOB	PTH	P	0.625	50	20	2	0.175	10	-	10	15	150	TO-92
ZVP4105ASTZ	PTH	P	0.625	50	20	2	0.175	10	-	10	15	150	TO-92
ZVP4424ASTOA	PTH	P	0.75	240	40	2	0.2	9	-	8	18	150	TO-92
ZVP4424ASTOB	PTH	P	0.75	240	40	2	0.2	9	-	8	18	150	TO-92
ZVP4424ASTZ	PTH	P	0.75	240	40	2	0.2	9	-	8	18	150	TO-92
ZVP4424GTA	SMD	P	2.5	240	40	2	0.48	9	-	8	18	150	SOT-223
ZVP4424GTC	SMD	P	2.5	240	40	2	0.48	9	-	8	18	150	SOT-223
ZVP4424ZTA	SMD	P	1	240	40	2	0.2	9	-	8	18	150	SOT-89