Транзистор CS10N80_AND
CS10N80_AND - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3PN
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 160 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.9 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 200 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CS10N80_AND можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS10N80_A8D |
PTH |
N |
160 |
800 |
30 |
- |
10 |
0.9 |
- |
10 |
200 |
150 |
TO-220AB |
| CS10N80A8D |
PTH |
N |
160 |
800 |
30 |
4 |
10 |
0.9 |
65 |
10 |
200 |
150 |
TO-220AB |
| STW22N95K5 |
PTH |
N |
250 |
950 |
30 |
5 |
17.5 |
0.33 |
48 |
9 |
140 |
150 |
TO-247 |