Справочник электронных компонентов

Транзистор CS11P40

CS11P40 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-257

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 400 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.6 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CS11P40 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXTH20P50P	PTH	P	460	500	20	4	20	0.45	103	406	-	150	TO-247
IXTK32P60P	PTH	P	890	600	20	4	32	0.35	196	480	-	150	TO-264
IXTK40P50P	PTH	P	890	500	20	4	40	0.23	205	477	-	150	TO-264
IXTN32P60P	Модуль	P	890	600	20	4	32	0.35	196	480	-	150	ISOTOP
IXTN40P50P	Модуль	P	890	500	20	4	40	0.23	205	477	-	150	ISOTOP
IXTR32P60P	PTH	P	310	600	20	4	18	0.385	196	480	-	150	ISOPLUS247
IXTR40P50P	PTH	P	312	500	20	4	22	0.26	205	477	-	150	ISOPLUS247
IXTT20P50P	SMD	P	460	500	20	4	20	0.45	103	406	-	150	TO-268
IXTX32P60P	PTH	P	890	600	20	4	32	0.35	196	480	-	150	PLUS247
IXTX40P50P	PTH	P	890	500	20	4	40	0.23	205	477	-	150	PLUS247