Справочник электронных компонентов

Транзистор CS19N40AN

CS19N40AN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 180 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 400 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 19 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.24 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 54 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 76 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 276 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CS19N40AN можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
CS19N40A8H	PTH	N	180	400	30	4	19	0.24	54	76	276	150	TO-220AB
SIHB20N50E	SMD	N	179	500	30	4	19	0.184	46	27	87	150	TO-263
SIHG20N50E	PTH	N	179	500	30	4	19	0.184	46	27	87	150	TO-247AC
SIHP20N50E	PTH	N	179	500	30	4	19	0.184	46	27	87	150	TO-220AB